- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
कोर बोर्ड को नुकसान के सामान्य कारण
2022-04-26
1 प्रोसेसर क्षति के कारणों का विश्लेषण
कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान एक ऐसी समस्या है जिस पर द्वितीयक विकास के लिए कोर बोर्ड का उपयोग करने की प्रक्रिया में ध्यान देना चाहिए। इसमें मुख्य रूप से निम्नलिखित स्थितियाँ शामिल हैं (लेकिन इन तक ही सीमित नहीं है):
(1) हॉट-स्वैप पेरिफेरल्स या पावर ऑन वाले बाहरी मॉड्यूल, कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान पहुंचाते हैं।
(2) डिबगिंग प्रक्रिया के दौरान धातु की वस्तुओं का उपयोग करते समय, IO झूठे स्पर्श के कारण विद्युत तनाव से प्रभावित होगा, जिसके परिणामस्वरूप IO को नुकसान होगा, या बोर्ड के कुछ घटकों को छूने से तत्काल शॉर्ट-सर्किट हो जाएगा, जिसके कारण संबंधित सर्किट और कोर बोर्ड। क्षतिग्रस्त प्रोसेसर।
(3) डिबगिंग प्रक्रिया के दौरान चिप के पैड या पिन को सीधे छूने के लिए अपनी उंगलियों का उपयोग करें, और मानव शरीर की स्थैतिक बिजली कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान पहुंचा सकती है।
(4) स्व-निर्मित बेसबोर्ड के डिजाइन में अनुचित स्थान हैं, जैसे कि स्तर बेमेल, अत्यधिक लोड करंट, ओवरशूट या अंडरशूट, आदि, जो कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान पहुंचा सकते हैं।
(5) डिबगिंग प्रक्रिया के दौरान, परिधीय इंटरफ़ेस की वायरिंग डिबगिंग होती है। वायरिंग गलत है या वायरिंग का दूसरा सिरा हवा में है जब यह अन्य प्रवाहकीय सामग्रियों को छूता है, और IO वायरिंग गलत है। यह विद्युत तनाव से क्षतिग्रस्त हो जाता है, जिसके परिणामस्वरूप कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान होता है।
2 प्रोसेसर आईओ क्षति के कारणों का विश्लेषण
(1) प्रोसेसर IO को 5 वी से अधिक बिजली की आपूर्ति के साथ शॉर्ट-सर्किट करने के बाद, प्रोसेसर असामान्य रूप से गर्म होता है और क्षतिग्रस्त हो जाता है।
(2) प्रोसेसर आईओ पर ± 8 केवी संपर्क निर्वहन करें, और प्रोसेसर तुरंत क्षतिग्रस्त हो जाता है।
कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान एक ऐसी समस्या है जिस पर द्वितीयक विकास के लिए कोर बोर्ड का उपयोग करने की प्रक्रिया में ध्यान देना चाहिए। इसमें मुख्य रूप से निम्नलिखित स्थितियाँ शामिल हैं (लेकिन इन तक ही सीमित नहीं है):
(1) हॉट-स्वैप पेरिफेरल्स या पावर ऑन वाले बाहरी मॉड्यूल, कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान पहुंचाते हैं।
(2) डिबगिंग प्रक्रिया के दौरान धातु की वस्तुओं का उपयोग करते समय, IO झूठे स्पर्श के कारण विद्युत तनाव से प्रभावित होगा, जिसके परिणामस्वरूप IO को नुकसान होगा, या बोर्ड के कुछ घटकों को छूने से तत्काल शॉर्ट-सर्किट हो जाएगा, जिसके कारण संबंधित सर्किट और कोर बोर्ड। क्षतिग्रस्त प्रोसेसर।
(3) डिबगिंग प्रक्रिया के दौरान चिप के पैड या पिन को सीधे छूने के लिए अपनी उंगलियों का उपयोग करें, और मानव शरीर की स्थैतिक बिजली कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान पहुंचा सकती है।
(4) स्व-निर्मित बेसबोर्ड के डिजाइन में अनुचित स्थान हैं, जैसे कि स्तर बेमेल, अत्यधिक लोड करंट, ओवरशूट या अंडरशूट, आदि, जो कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान पहुंचा सकते हैं।
(5) डिबगिंग प्रक्रिया के दौरान, परिधीय इंटरफ़ेस की वायरिंग डिबगिंग होती है। वायरिंग गलत है या वायरिंग का दूसरा सिरा हवा में है जब यह अन्य प्रवाहकीय सामग्रियों को छूता है, और IO वायरिंग गलत है। यह विद्युत तनाव से क्षतिग्रस्त हो जाता है, जिसके परिणामस्वरूप कोर बोर्ड के ऑनबोर्ड प्रोसेसर को नुकसान होता है।
2 प्रोसेसर आईओ क्षति के कारणों का विश्लेषण
(1) प्रोसेसर IO को 5 वी से अधिक बिजली की आपूर्ति के साथ शॉर्ट-सर्किट करने के बाद, प्रोसेसर असामान्य रूप से गर्म होता है और क्षतिग्रस्त हो जाता है।
(2) प्रोसेसर आईओ पर ± 8 केवी संपर्क निर्वहन करें, और प्रोसेसर तुरंत क्षतिग्रस्त हो जाता है।
मल्टीमीटर के ऑन-ऑफ गियर का उपयोग उन प्रोसेसर पोर्ट को मापने के लिए करें जो 5V बिजली की आपूर्ति से शॉर्ट-सर्किट हुए थे और ESD द्वारा क्षतिग्रस्त हो गए थे। यह पाया गया कि IO को प्रोसेसर के GND में शॉर्ट-सर्किट किया गया था, और IO से संबंधित पावर डोमेन को भी GND में शॉर्ट-सर्किट किया गया था।
पहले का:कोर बोर्ड का डिजाइन
